- Об'єм пам'яті
- 8 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,5 В
Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3 8GB 1600 MHz Silicon Power (SP008GLLTU160N02)
-
Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3 8GB 1600 MHz Hynix (HMT41GU6MFR8C-PBN0 / HMT41GU6 / HMT41GU6)
1 038 ₴
У кошику
-
Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3L 4GB 1600 MHz INTELIGENTES (IU3BFB1/4)
1 145 ₴
У кошику
-
Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3 8GB 1600 MHz Golden Memory (GM16N11/8G)
961 ₴
У кошику
Чи підійде до мого комп'ютера?
Перевіряємо за характеристиками товару й моделі. Сумніваєтесь — запитайте менеджера.
- Гарантія 3 роки
- Безкоштовне повернення 14 днів
- Оплата при отриманні
- Безготівка для компаній
Опис
DDR3 SDRAM - це третє покоління синхронної динамічної пам'яті з довільним доступом та подвоєною швидкістю передачі даних. Переваги в порівнянні з DDR2: більш висока пропускна здатність (до 19200 МБ / с), зниження тепловиділення (результат зменшення напруги живлення), менше енергоспоживання та поліпшене енергозбереження.
Модуль пам'яті DDR3 8GB 1600 MHz Silicon Power (SP008GLLTU160N02) - це модуль пам'яті, який працює з тактовою частотою 1600 MHz, і з піковою швидкістю передачі даних 12800 МБ / с.
Модуль має параметр CL11, що означає величину латентності, рівну 11. CAS-латентність - перший і найважливіший параметр в таймінгах, означає число тактів, необхідних для видачі даних на шину. DDR3 SDRAM - це третє покоління синхронної динамічної пам'яті з довільним доступом та подвоєною швидкістю передачі даних.
Характеристики
Відгуки
Питання й відповіді
Схожі товари
Усі «DDR3»- Об'єм пам'яті
- 4 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,35 В
- Об'єм пам'яті
- 8 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Таймінги
- CL11
- Об'єм пам'яті
- 8 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,35 В
- Об'єм пам'яті
- 8 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,5 В
- Об'єм пам'яті
- 8 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,35 В
- Об'єм пам'яті
- 8 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,5 В
- Об'єм пам'яті
- 16 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 2
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,5 В
- Об'єм пам'яті
- 8 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1 x
- Об'єм пам'яті
- 8 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,5 В
- Об'єм пам'яті
- 4 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,35 В
- Об'єм пам'яті
- 16 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 2
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,35 В
- Об'єм пам'яті
- 4 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,5 В
- Об'єм пам'яті
- 8 ГБ
- Частота пам'яті
- 1333 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL9
- Напруга живлення
- 1,5 В
- Об'єм пам'яті
- 8 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,35 В
- Об'єм пам'яті
- 4 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,5 В
- Об'єм пам'яті
- 16 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 2
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,5 В
- Об'єм пам'яті
- 4 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,35 В
- Об'єм пам'яті
- 4 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,5 В