- Об'єм пам'яті
- 4 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,5 В
Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3 8GB 1600 MHz Samsung (M378B1G73EB0-CK0)
-
Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3 4GB 1600 MHz Golden Memory (GM16N11/4)
481 ₴
У кошику
-
Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3L 4GB 1600 MHz Golden Memory (GM16LN11/4)
481 ₴
У кошику
-
Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3 2GB 1333 MHz Hynix (HMT325U6CFR8C-H9N0)
403 ₴
У кошику
Чи підійде до мого комп'ютера?
Перевіряємо за характеристиками товару й моделі. Сумніваєтесь — запитайте менеджера.
- Гарантія 5 років
- Безкоштовне повернення 14 днів
- Оплата при отриманні
- Безготівка для компаній
Опис
DDR3 SDRAM - це третє покоління синхронної динамічної пам'яті з довільним доступом та подвоєною швидкістю передачі даних. Переваги в порівнянні з DDR2: більш висока пропускна здатність (до 19200 МБ / с), понижене тепловиділення (результат зменшення напруги живлення), менше енергоспоживання та поліпшене енергозбереження.
Модуль пам'яті DDR-3 8GB 1600 MHz Samsung (M378B1G73EB0-CK0) працює з тактовою частотою 1600 MHz. Модуль пам'яті має параметр CL11, що означає величину латентності, рівну 11. CAS-латентність - перший і найважливіший параметр в таймінгах, означає число тактів, необхідних для видачі даних на шину.
Характеристики
Відгуки
Питання й відповіді
Схожі товари
Усі «DDR3»- Об'єм пам'яті
- 4 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,35 В
- Об'єм пам'яті
- 4 ГБ
- Частота пам'яті
- 1333 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL9
- Напруга живлення
- 1,5 В
- Об'єм пам'яті
- 8 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,5 В
- Об'єм пам'яті
- 8 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,5 В
- Об'єм пам'яті
- 16 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 2
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,5 В
- Об'єм пам'яті
- 8 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,5 В
- Об'єм пам'яті
- 8 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1 x
- Об'єм пам'яті
- 8 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,5 В
- Об'єм пам'яті
- 8 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Таймінги
- CL11
- Об'єм пам'яті
- 8 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,35 В
- Об'єм пам'яті
- 16 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 2
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,35 В
- Об'єм пам'яті
- 2 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,5 В
- Об'єм пам'яті
- 8 ГБ
- Частота пам'яті
- 1333 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL9
- Напруга живлення
- 1,5 В
- Об'єм пам'яті
- 8 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,35 В