Модуль памяти DDR3 4GB 1866 HMz Elite Plus Team (TPD34G1866HC1301)
-
Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3 2GB 1600 MHz Samsung (M378B5674EB0-YK0D0)
369 ₴
У кошику
-
Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3 2GB 1600 MHz Hynix (HMT425U6CFR6A-PBN0)
369 ₴
У кошику
-
Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3 2GB 1600 MHz Golden Memory (GM16N11/2)
351 ₴
У кошику
Чи підійде до мого комп'ютера?
Перевіряємо за характеристиками товару й моделі. Сумніваєтесь — запитайте менеджера.
- Гарантія 5 років
- Безкоштовне повернення 14 днів
- Оплата при отриманні
- Безготівка для компаній
Опис
Модуль пам'яті DDR3 4GB 1866 HMz Elite Plus Team (TPD34G1866HC1301) має параметр CL11, що означає величину латентності, рівну 11. CAS-латентність - перший і найважливіший параметр в таймінгах, означає число тактів, необхідних для видачі даних на шину.
Модуль пам'яті DDR3 4GB 1866 HMz Elite Plus Team (TPD34G1866HC1301) - це модуль пам'яті однією планкою на 4 Гб. Пам'ять працює з тактовою частотою 1866 MHz, і з піковою швидкістю передачі даних 15000 МБ / с. Це третє покоління синхронної динамічної пам'яті з довільним доступом та подвоєною швидкістю передачі даних. Основними перевагами DDR3 в порівнянні з DDR2 є більш висока пропускна здатність, знижене тепловиділення, а також менше енергоспоживання та поліпшене енергозбереження.
Характеристики
Відгуки
Питання й відповіді
Схожі товари
Усі «DDR3»- Об'єм пам'яті
- 2 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,5 В
- Об'єм пам'яті
- 2 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,5 В
- Об'єм пам'яті
- 2 ГБ
- Частота пам'яті
- 1333 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL9
- Напруга живлення
- 1,5 В
- Об'єм пам'яті
- 8 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,5 В
- Об'єм пам'яті
- 8 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,5 В
- Об'єм пам'яті
- 16 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 2
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,5 В
- Об'єм пам'яті
- 8 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,5 В
- Об'єм пам'яті
- 8 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1 x
- Об'єм пам'яті
- 8 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,5 В
- Об'єм пам'яті
- 4 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,35 В
- Об'єм пам'яті
- 16 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 2
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,35 В
- Об'єм пам'яті
- 4 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,5 В
- Об'єм пам'яті
- 8 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,35 В
- Об'єм пам'яті
- 4 ГБ
- Частота пам'яті
- 1600 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL11
- Напруга живлення
- 1,5 В
- Об'єм пам'яті
- 4 ГБ
- Частота пам'яті
- 1333 МГц
- Кількість модулів у наборі
- 1
- Таймінги
- CL9
- Напруга живлення
- 1,5 В