Об'єм пам'яті4 ГБ Частота пам'яті1600 МГц Кількість модулів у наборі1 ТаймінгиCL11 Напруга живлення1,5 В Усі характеристики

Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3 4GB 1600 MHz Kingston (KCP316NS8/4)

Name: Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3 4GB 1600 MHz Kingston (KCP316NS8/4)
Brand: Kingston
SKU: 161559
Price: 962.00 UAH
Availability: OutOfStock

99 міс. гарантії · до лютого 2035

Остання відома ціна 962 ₴

Немає в наявності

Зараз немає — єнот Чекайченко вже виглядає постачання. Подзвоніть 0 800 331-332 — підкажемо, коли буде або що взяти замість.

Схожі в тій самій ціні — є в наявності

Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3L 8GB 1600 MHz AMD (R538G1601U2SL-U) 916 ₴
У кошику
Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3 8GB 1600 MHz Golden Memory (GM16N11/8) 905 ₴
У кошику
Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3L 8GB 1600 MHz Golden Memory (GM16LN11/8) 905 ₴
У кошику

Ще 4 ↓

Чи підійде до мого комп'ютера?

Дивимось характеристики «» — до пів хвилини

Перевіряємо за характеристиками товару й моделі. Сумніваєтесь — запитайте менеджера.

Гарантія 99 міс.
Безкоштовне повернення 14 днів
Оплата при отриманні
Безготівка для компаній

Опис

Оперативна пам'ять DDR3 4GB 1600 MHz Kingston (KCP316NS8/4) допоможе прискорити обмін даними на комп'ютері. Оперативна пам'ять незамінна для виконання різних завдань, таких як: робота з об'ємними текстами, таблицями, графіками; архівування, шифрування, робота з базами даних; комп'ютерні ігри, а також інші завдання. DDR3 SDRAM - це третє покоління синхронної динамічної пам'яті з довільним доступом і подвоєною швидкістю передачі даних.

Переваги в порівнянні з DDR2:
- більш висока пропускна здатність (до 19200 МБ/ с),
- знижене тепловиділення (результат зменшення напруги живлення),
- поліпшене енергозбереження.

Дані модулі пам'яті створені на базі новітнього покоління технології DDR. Як і всі модулі пам'яті компанії, модулі пам'яті DDR3 спроектовані і створені таким чином, щоб повністю відповідати всім вимогам ентузіастів в області розгону ПК. Модулі пам'яті DDR3 забезпечують більш високу швидкість, більш низький час затримки, більш високу пропускну здатність і зменшене енергоспоживання в порівнянні з модулями пам'яті DDR2.