Об'єм пам'яті32 ГБ Частота пам'яті2666 МГц Кількість модулів у наборі1 Тип пам'ятіDDR4 Стандарти пам'ятіPC4-21300 ТаймінгиCL19

Модуль пам'яті для ноутбука SoDIMM DDR4 32GB 2666 MHz eXceleram (E432269CS)

Name: Модуль пам'яті для ноутбука SoDIMM DDR4 32GB 2666 MHz eXceleram (E432269CS)
Brand: eXceleram
SKU: 354851
Price: 7880.00 UAH
Availability: OutOfStock

10 років гарантії · до листопада 2036

Остання відома ціна 7 880 ₴

Немає в наявності

Зараз немає — єнот Чекайченко вже виглядає постачання. Подзвоніть 0 800 331-332 — підкажемо, коли буде або що взяти замість.

Схожі в тій самій ціні — є в наявності

Модуль пам'яті для ноутбука SoDIMM DDR4 16GB 3200 MHz Goodram (GR3200S464L22/16G) 8 039 ₴
У кошику
Модуль пам'яті для ноутбука SoDIMM DDR4 16GB (2x8GB) 3200 MHz eXceleram (E416322SD) 7 612 ₴
У кошику
Модуль пам'яті для ноутбука SoDIMM DDR4 16GB 3200 MHz Impact Kingston Fury (ex.HyperX) (KF432S20IB/16) 7 476 ₴
У кошику

Чи підійде до мого ноутбука?

Дивимось характеристики «» — до пів хвилини

Перевіряємо за характеристиками товару й моделі. Сумніваєтесь — запитайте менеджера.

Гарантія 10 років
Безкоштовне повернення 14 днів
Оплата при отриманні
Безготівка для компаній

Опис

Оперативна пам'ять – це один з найважливіших елементів системи, який безпосередньо відповідає за продуктивність додатків. Саме в ній зберігаються тимчасові дані і команди, які необхідні процесору в його роботі для виконання конкретних операцій. Основні характеристики – це тип оперативної пам'яті; обсяг; тактова частота; таймінг оперативної пам'яті. Тому, плануючи апгрейд комп'ютера, варто вибирати тільки якісні комплектуючі, наприклад оперативну пам'ять SoDIMM DDR4 32GB 2666 MHz eXceleram (E432269CS).

Модулі пам'яті SoDIMM DDR4 32GB 2666 MHz eXceleram (E432269CS) створені на базі новітнього покоління технології DDR. Як і всі модулі пам'яті компанії, модулі пам'яті DDR4 спроектовані і створені таким чином, щоб повністю відповідати всім вимогам ентузіастів в області розгону ПК. Модулі пам'яті DDR4 забезпечують більш високу швидкість, більш низький час затримки, більш високу пропускну здатність і зменшене енергоспоживання в порівнянні з модулями пам'яті DDR3.