- Об'єм пам'яті
- 1 ТБ
- Швидкість читання
- 6000 Mb/s
- Швидкість запису
- 4000 МБ/с
- Інтерфейс підключення
- PCIe 4.0 x4
- Форм-фактор
- M.2
- Тип флеш-пам'яті
- 3D NAND
Накопичувач SSD M.2 2230 512GB Samsung (MZ9L8512HDLU-00BD1)
Швидке замовлення
Коли отримаю
- Курʼєр Enkoпо Кривому Рогу доставимо орієнтовно6–10 лист.від 100 ₴
- Нова поштавідділення або поштомат відправимо орієнтовно6–10 лист.від 80 ₴
- Курʼєр Нової поштидо дверей відправимо орієнтовно6–10 лист.від 120 ₴
Терміни орієнтовні — точний час підтвердить менеджер.
- Гарантія 3 роки
- Безкоштовне повернення 14 днів
- Оплата при отриманні
- Безготівка для компаній
Опис
Samsung MZ-9L8512C — це високоефективний NVMe накопичувач, створений для пристроїв, де кожен міліметр має значення. Завдяки компактному форм-фактору M.2 2230 та підтримці інтерфейсу PCIe Gen4 x4, цей SSD забезпечує неймовірну швидкість роботи, залишаючись енергоефективним.
Використання фірмової пам’яті V-NAND TLC та контролера власного виробництва гарантує стабільну роботу та тривалий термін служби.
Нове покоління контролерів споживає менше енергії, що критично важливо для збільшення часу автономної роботи ваших мобільних пристроїв.
Характеристики
Відгуки
Питання про товар
Ще ніхто не питав. Хочете дізнатися щось про цей товар — сумісність, комплектацію, чи підійде саме вам? Запитайте, відповімо тут.
Аналоги в тій самій ціні
- Об'єм пам'яті
- 512 ГБ
- Швидкість читання
- 7000 Mb/s
- Швидкість запису
- 3900 МБ/с
- Інтерфейс підключення
- PCIe 4.0 x4
- Форм-фактор
- M.2
- Тип флеш-пам'яті
- 3D TLC NAND
- Об'єм пам'яті
- 1 ТБ
- Швидкість читання
- 5000 Mb/s
- Швидкість запису
- 4500 МБ/с
- Інтерфейс підключення
- PCIe 4.0 x4
- Форм-фактор
- M.2
- Тип флеш-пам'яті
- 3D QLC NAND
- Об'єм пам'яті
- 1 ТБ
- Швидкість запису
- 3100 МБ/с
- Інтерфейс підключення
- PCIe 4.0 x4
- Форм-фактор
- M.2 2280
- Тип флеш-пам'яті
- 3D NAND
- Об'єм пам'яті
- 1 ТБ
- Швидкість читання
- 5000 Mb/s
- Швидкість запису
- 4200 МБ/с
- Інтерфейс підключення
- PCIe 4.0 x4
- Форм-фактор
- M.2
- Тип флеш-пам'яті
- 3D QLC NAND
- Об'єм пам'яті
- 1 ТБ
- Швидкість запису
- 2100 МБ/с
- Інтерфейс підключення
- PCIe 3.0 x4
- Форм-фактор
- M.2 2280
- Тип флеш-пам'яті
- 3D TLC NAND
- Об'єм пам'яті
- 1 ТБ
- Швидкість запису
- 4500 МБ/с
- Інтерфейс підключення
- PCIe 4.0 x4
- Форм-фактор
- M.2 2280
- Тип флеш-пам'яті
- 3D TLC NAND
- Об'єм пам'яті
- 1 ТБ
- Швидкість читання
- 3000 Mb/s
- Швидкість запису
- 2200 МБ/с
- Інтерфейс підключення
- PCIe 3.0 x4
- Форм-фактор
- M.2
- Тип флеш-пам'яті
- 3D TLC NAND
- Об'єм пам'яті
- 512 ГБ
- Швидкість читання
- 3300 Mb/s
- Швидкість запису
- 1700 МБ/с
- Інтерфейс підключення
- PCIe 4.0 x4
- Форм-фактор
- M.2
- Тип флеш-пам'яті
- 3D NAND
- Об'єм пам'яті
- 1 ТБ
- Швидкість читання
- 3200 Mb/s
- Швидкість запису
- 2000 МБ/с
- Інтерфейс підключення
- PCIe 3.0 x4
- Форм-фактор
- M.2
- Об'єм пам'яті
- 512 ГБ
- Швидкість читання
- 3200 Mb/s
- Швидкість запису
- 1700 МБ/с
- Інтерфейс підключення
- PCIe 3.0 x4
- Форм-фактор
- M.2
- Об'єм пам'яті
- 1 ТБ
- Швидкість читання
- 6000 Mb/s
- Швидкість запису
- 4500 МБ/с
- Інтерфейс підключення
- PCIe 4.0
- Форм-фактор
- M.2 2280
- Тип флеш-пам'яті
- 3D NAND
Samsung у цій категорії
- Об'єм пам'яті
- 128 ГБ
- Швидкість читання
- 3330 Mb/s
- Швидкість запису
- 1250 МБ/с
- Інтерфейс підключення
- PCIe 4.0 x4
- Форм-фактор
- M.2
- Тип флеш-пам'яті
- V-NAND TLC
- Об'єм пам'яті
- 256 ГБ
- Швидкість читання
- 5000 Mb/s
- Швидкість запису
- 4000 МБ/с
- Інтерфейс підключення
- PCIe 4.0 x4
- Форм-фактор
- M.2
- Тип флеш-пам'яті
- 3D TLC NAND
- Об'єм пам'яті
- 1 ТБ
- Швидкість читання
- 7150 Mb/s
- Швидкість запису
- 6300 МБ/с
- Інтерфейс підключення
- PCI Express 5.0×2
- Форм-фактор
- M.2
- Тип флеш-пам'яті
- 3D TLC NAND
- Об'єм пам'яті
- 1 ТБ
- Швидкість читання
- 3600 Mb/s
- Швидкість запису
- 3000 МБ/с
- Інтерфейс підключення
- PCIe 4.0 x4
- Форм-фактор
- M.2
- Тип флеш-пам'яті
- V-NAND 3bit MLC
- Об'єм пам'яті
- 1 ТБ
- Швидкість читання
- 7450 Mb/s
- Швидкість запису
- 6900 МБ/с
- Інтерфейс підключення
- PCIe 4.0 x4
- Форм-фактор
- M.2
- Тип флеш-пам'яті
- V-NAND 3bit MLC
- Об'єм пам'яті
- 1 ТБ
- Швидкість читання
- 14700 Mb/s
- Швидкість запису
- 13300 МБ/с
- Інтерфейс підключення
- PCIe 5.0 x4
- Форм-фактор
- M.2
- Тип флеш-пам'яті
- 3D TLC NAND
- Об'єм пам'яті
- 1 ТБ
- Швидкість читання
- 7450 Mb/s
- Швидкість запису
- 6900 МБ/с
- Інтерфейс підключення
- PCIe 4.0 x4
- Форм-фактор
- M.2
- Тип флеш-пам'яті
- V-NAND TLC
- Об'єм пам'яті
- 2 ТБ
- Швидкість читання
- 7250 Mb/s
- Швидкість запису
- 6300 МБ/с
- Інтерфейс підключення
- PCI Express 5.0×2
- Форм-фактор
- M.2
- Тип флеш-пам'яті
- 3D TLC NAND
- Об'єм пам'яті
- 2 ТБ
- Швидкість читання
- 5000 Mb/s
- Швидкість запису
- 4200 МБ/с
- Інтерфейс підключення
- PCIe 5.0 x4
- Форм-фактор
- M.2
- Тип флеш-пам'яті
- 3D TLC NAND
- Об'єм пам'яті
- 2 ТБ
- Швидкість читання
- 7450 Mb/s
- Швидкість запису
- 6900 МБ/с
- Інтерфейс підключення
- PCIe 4.0 x4
- Форм-фактор
- M.2
- Тип флеш-пам'яті
- V-NAND 3bit MLC
- Об'єм пам'яті
- 2 ТБ
- Швидкість читання
- 14700 Mb/s
- Швидкість запису
- 13400 МБ/с
- Інтерфейс підключення
- PCIe 5.0 x4
- Форм-фактор
- M.2
- Тип флеш-пам'яті
- 3D TLC NAND
- Об'єм пам'яті
- 2 ТБ
- Швидкість читання
- 14700 Mb/s
- Швидкість запису
- 13400 МБ/с
- Інтерфейс підключення
- PCIe 5.0 x4
- Форм-фактор
- M.2
- Тип флеш-пам'яті
- V-NAND TLC